Создан универсальный полупроводник

Создан универсальный полупроводник
30 января 2009 года, 23:57 | Текст: Дмитрий Сафин | Послушать подкаст с этой новостью
Группа специалистов из Вестфальского университета имени Вильгельма (Германия) сделала важнейшее открытие, которое, вероятно, позволит модернизировать технологию производства полупроводниковых интегральных схем.
Зависимость величины термоЭДС (указана в микровольтах на кельвин) от температуры для трех образцов Ag10Te4Br3 (изображение получено авторами исследования).
Новое соединение, полученное учеными, может служить как электронным, так и дырочным полупроводником, причем изменение свойств материала вызывается простым повышением температуры.
В состав уникального соединения (химическая формула Ag10Te4Br3) входят серебро, теллур и бром. Материал изменяет свои характеристики в трех четко выделенных температурных точках (290, 317 и 390 кельвинов), совершая переход из состояния дырочной проводимости к электронной проводимости и обратно. Исследователи объясняют сдвиги концентрации носителей заряда изменениями структуры соединения при повышении температуры; в частности, часть ионов теллура в таких условиях образует подвижные цепочки, с которыми затем связываются ионы серебра. Следует отметить, что процесс чередования свойств Ag10Te4Br3 обратим